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纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储研究项

  纳米结构电荷捕捉材料和高密度多值存储项目研究项目

  在中国科学院微电子研究所承担的国家重点基础研究发展计划(“973”)“纳米科研项目”“纳米结构电荷捕捉材料和高密度多值存储器基础研究”项目作为主要单位最近项目。目前,半导体存储器在移动通信,数据终端,多媒体,消费类电子,国防电子等领域具有不可替代的地位,数据容量大幅增长。高密度,高速度,低功耗,长寿命提出了更高的要求。由于信息技术的飞速发展,主流的硅基浮动存储器在技术的扩展方面遇到了严重的技术瓶颈,不能满足超高密度存储的要求。先进的纳米晶浮栅存储器和电荷俘获存储器是主流硅基浮动栅存储器的主要替代品。
在纳米晶浮栅存储器的研究,微电子与微细化纳米技术实验室团队从存储器件结构,分析了提高纳米晶浮栅器件性能的方法,建立了纳米晶浮栅存储器电荷保留模型,开发为制备高质量的纳米晶提供了一系列的方法,为纳米晶浮栅存储器的实用化奠定了基础。同时在与上海鸿利半导体制造有限公司的合作下,开展纳米晶浮动门存储器在工业应用中的关键技术已在8英寸的生产线上完成。这些研究成果为该项目的应用奠定了坚实的基础据报道,基于纳米结构陷阱或量子阱存储(CTM)技术的新一代电荷捕获存储器(CTM)技术具有极小的电子操作,小型器件体积小,功耗低,实现多值存储,易与CMOS等技术兼容,特别是具有多值存储状态的CTM存储器,面积相同,技术相同,可实现存储密度增长一倍,从根本上解决目前浮栅存储器面临的问题进一步缩小尺寸的瓶颈被认为是下一代存储器技术发展的重要方向,因此在内存处理人员和研究生的积极努力下集团和纳米技术实验室,微电子公司终于率先组织申请由南京大学,物理所,中国科学院,北京大学三家国内优秀单位共同完成。该项目将与上海格雷斯半导体制造有限公司和两家核心FOUNDRY集成电路制造有限公司的FOUNDRY工厂合作,组成一个研究联盟,为响应CTM面向密度,速度,功耗的进一步发展,可靠性和可制造性之间矛盾突出的矛盾多层次,全面研究了新型电荷捕捉存储系统设计与材料成长,存储过程的物理机制,存储器件纳米尺寸效应,多值存储操作模式可靠性,纳米级工艺集成等关键科技问题,有望在我国获得一系列具有自主知识产权的核心技术,并在此基础上实现高密度,高速度,低功耗,可嵌入性CTM内存芯片,为中国高性能内存产业的可持续发展打下坚实的基础

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