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研究发现新的光致电阻效应

  该研究发现了新的光敏电阻效应

  寻找新的阻力效应,实现较大的阻力变化率一直是物理和材料科学领域的热门话题。最近一期“先进材料”(DOI:10.1002 / adma.200903070)报道了上海交通大学物理系副教授王辉的最新研究成果:“基于双金属氧化物 - 极性电阻效应“经过多年的实验研究,研究小组发现,通过控制激光器,可以在一些金属氧化物半导体(MOS)结构中实现大的电阻变化率和空间分辨率,并且电阻的变化展现出双极性,这些特点为开发新型光电子器件,特别是新一代海量超高密度存储器的研制具有很大的潜在应用价值。(来源:上海交通大学)

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