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化学所成功研制多比特有机场效应晶体管存储器

  化学成功开发出多位有机场效应晶体管存储器件

  在国家自然科学基金,科技部和中国科学院的大力支持下,化学多位场效应晶体管存储器件的研究取得了新的进展。研究结果发表在最近的Adv。母校。 (2009,21,1954-1959)。研究有机场效应晶体管存储器件是有机存储器件的重要研究之一,因为它不仅具有开关晶体管的功能,还能够存储信息。以往的相关研究集中在单比特器件上,很少涉及多比特存储。关于市场需求,如何进一步降低成本,是其重点。一般情况下,有两种方法可以提高单位面积设备的集成密度或增加单个设备的信息存储容量。由于光刻工艺的局限性,不可能无限地提高集成度,人们越来越倾向于第二种方式。由于相关研究较少,如何实现有机场效应晶体管的多比特存储成为一项极具挑战性的研究工作。
<\\ / strong>最近,固态化学研究所所有机器实验室的研究人员成功开发了一种多位有机场效应晶体管器件。他们巧妙地将光辅助效应与聚合物改性的FET结构结合起来,探索能够实现有机场效应晶体管多位存储的光电子工艺。研究发现,这个过程成功地为单个设备实现了超过2比特的信息存储,同时存储超过250小时。将多位存储器的概念成功引入场效应晶体管及其实现将进一步推动有机存储器件的研究。
 

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