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化学所在提高n

  改善化学

  在国家自然科学基金,科技部和中科院的支持下,有机化学固体化学重点实验室的研究人员在提高n型场效应晶体管稳定性方面取得了新的进展。最近的研究发表了相关的研究成果。母校。 (2009,21,1631-1635)。近年来,有机场效应晶体管(FET)在大面积,灵活,低成本的有源矩阵显示器,射频标签等领域的应用受到了学术界和工业界的广泛关注,并取得了长足的发展。由p型和n型有机场效应晶体管构成的双极互补电路比单极有机电路更有优势,但是由于其低的器件性能和低的性能,目前正在使用当前的n型场效应晶体管。发展滞后于p型有机场效应晶体管。因此,如何提高n型有机场效应晶体管的器件性能和环境稳定性,使p型有机场效应晶体管更好地匹配高性能和高稳定性已成为当前研究的热点。在这项研究中,苝酰亚胺n型器件的性能通过硫的顶部电极改性而显着改善。该方法具有空气氧化影响小,无瞬时改性效果,原料廉价,改性方法简单等优点。另外,装置的稳定性也与制备过程直接相关。研究人员通过改善气相沉积条件来提高不具有强电子吸引基团的苝酰亚胺装置的稳定性,从而使这种n型装置能长期在空气中工作并提供改善其它苝酰亚胺装置的稳定性的手段,基于设备。点击

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