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第一届黄昆固体物理和半导体物理科学研究奖揭

  首届“黄Solid固态物理与半导体物理研究奖”揭晓

  2008-2009(一)黄昆固体物理与半导体物理研究奖近日宣布,获得清华大学物理系蒋凯研究员。 9月18日,在上海举行的中国物理年会上,杨国桢主席向蒋开立教授颁发了奖状。蒋凯利研究员主要从事碳纳米管的生长机理,控制生长,物理性质的研究和应用,取得了以下成果:
开展理论与实验研究碳纳米管基于VLS机理和生长机理提出的碳纳米管生长机理;基于研究机理,根据不同的应用需求,开发超光滑碳纳米管阵列合成,单双壁碳纳米管阵列合成,可控端接,激光直写等可控生长技术。在获得高质量高性能碳纳米管材料的基础上,研究了碳纳米管的物理性能。结果表明,电子冷却效应,碳纳米管场致发射体的失效机理,阐述了碳纳米管线状单壁碳纳米管,双壁碳纳米管和多壁碳纳米管的功函数。基于物理性质的研究,碳纳米管的宏观应用,成功的发展基于碳纳米管的TEM栅格,触摸屏,同轴电缆,扬声器等,在国际上有较大的响应。
“黄昆固态物理与半导体物理研究奖”2005年获科技部批准成立注册,旨在推动2001年中国国家最高科学技术奖获得者黄坤先生科学精神和他在中国创立固体物理学和半导体物理学的突出贡献,为中国固体物理学和半导体物理工作者树立和鼓舞杰出贡献。这次评选的首选,共有六位候选人分别来自半导体研究所,清华大学,复旦大学和中国科技大学。点击

  关键词:物理学

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